发改委取消电网企业 部分垄断性服务收费项目

发改分垄服务b）块状和薄膜MoS2器件在EDLT技术下的转移曲线。

（i）从应变1L-MoS2到ZnO的电荷转移效率提高的示意图，委取网企这是由于应变调制下界面势垒高度的降低所致。图三：消电项目1L-MoS2和ZnO之间的界面电荷转移（a）在532nm激发下，ZnO和Al2O3/ZnO上的1L-MoS2的PL光谱。

业部【图文导读】图一：具有周期性应变调控的1L-MoS2/ZnO异质结阵列的制备和基础表征（a）1L-MoS2/ZnO异质结阵列的示意图。断性（f）区域C（未应变的1L-MoS2）和D（应变的11L-MoS2）中的MoS2的PL光谱。收费（e）在532nm激光激发下1L-MoS2/ZnO异质结阵列的拉曼光谱。

发改分垄服务（c）区域A（未应变的1L-MoS2）和B（应变的1L-MoS2）中的1L-MoS2的PL光谱。委取网企文献链接：Strain-EngineeredvanderWaalsInterfacesofMixed-DimensionalHeterostructureArrays(ACSNano,2019,DOI:10.1021/acsnano.9b03239)团队在该领域的其他工作主要包括：1.混合维度异质结构光电与电子器件Zhang,Z.,Lin,P.,Liao,Q.,Kang,Z.,Si,H.,Zhang,Y.Graphene‐BasedMixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructuresforAdvancedOptoelectronics.AdvancedMaterials,2019,1806411.Du,J.,Liao,Q.,Hong,M.,Liu,B.,Zhang,X.,Yu,H.,...Zhang,Z.Piezotroniceffectoninterfacialchargemodulationinmixed-dimensionalVanderWaalsheterostructureforultrasensitiveflexiblephotodetectors.NanoEnergy,2019,58,85-93.Wu,H.,Kang,Z.,Zhang,Z.,Zhang,Z.,Si,H.,Liao,Q.,...Zhang,Y.InterfacialChargeBehaviorModulationinPerovskiteQuantumDot‐MonolayerMoS20D‐2DMixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructures.AdvancedFunctionalMaterials,2018,28,1802015.Liu,S.,Liao,Q.,Lu,S.,Zhang,Z.,Zhang,G.,Zhang,Y.Strainmodulationingraphene/ZnOnanorodfilmschottkyjunctionforenhancedphotosensingperformance.AdvancedFunctionalMaterials,2016,26,1347-1353.Wu,H.,Si,H.,Zhang,Z.,Kang,Z.,Wu,P.,Zhou,L.,...Zhang,Y.All‐InorganicPerovskiteQuantumDot‐MonolayerMoS2Mixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructureforUltrasensitivePhotodetector.AdvancedScience,2018,5,1801219.2.二维材料电子结构的缺陷调控及其光电与电子器件Zhang,X.,Liao,Q.,Liu,S.,Kang,Z.,Zhang,Z.,Du,J.,...Zhang,Y.Poly(4-styrenesulfonate)-inducedsulfurvacancyself-healingstrategyformonolayerMoS2homojunctionphotodiode.Naturecommunications,2017,8,15881.Zhang,X.,Liao,Q.,Kang,Z.,Liu,B.,Ou,Y.,Du,J.,...Zhang,Y.Self-HealingOriginatedvanderWaalsHomojunctionswithStrongInterlayerCouplingforHigh-PerformancePhotodiodes.ACSnano,2019,13,3280-3291.Yu,Y.,Zhang,X.,Zhou,Z.,Zhang,Z.,Bao,Y.,Xu,H.,...Wang,X.Microscopicpump-probeopticaltechniquetocharacterizethedefectofmonolayertransitionmetaldichalcogenides.PhotonicsResearch,2019,7,711-721.本文由大兵哥供稿。

图四：消电项目应变调控的异质界面的共聚焦PL表征（a）在10nmAl2O3包覆的ZnONRA上的1L-MoS2的示意图，插图为ZnONRA上1L-MoS2的SEM图像。

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